1. <sub id="dr5zl"></sub>
    <tr id="dr5zl"></tr>
  2. <sub id="dr5zl"><address id="dr5zl"></address></sub>

  3. <em id="dr5zl"><span id="dr5zl"></span></em>
  4. <sub id="dr5zl"></sub>
    1. <big id="dr5zl"></big>
      <strike id="dr5zl"><p id="dr5zl"></p></strike>
    2. <em id="dr5zl"></em>
    3. <form id="dr5zl"></form><wbr id="dr5zl"></wbr><sub id="dr5zl"><td id="dr5zl"></td></sub>

        1. <sub id="dr5zl"><listing id="dr5zl"></listing></sub>

        2. <wbr id="dr5zl"><pre id="dr5zl"></pre></wbr>

        3. <wbr id="dr5zl"></wbr>
            <wbr id="dr5zl"></wbr>
          1. <em id="dr5zl"></em>
          2. <sub id="dr5zl"><address id="dr5zl"><div id="dr5zl"></div></address></sub>
            <wbr id="dr5zl"></wbr><big id="dr5zl"><td id="dr5zl"></td></big>
            <tr id="dr5zl"><source id="dr5zl"></source></tr>

                1. <form id="dr5zl"></form>

                  <wbr id="dr5zl"><legend id="dr5zl"></legend></wbr>

                  <nav id="dr5zl"></nav>

                    <sub id="dr5zl"></sub><sub id="dr5zl"><address id="dr5zl"><div id="dr5zl"></div></address></sub>

                    <table id="dr5zl"></table>
                    <em id="dr5zl"></em>

                        <wbr id="dr5zl"></wbr>

                          
                          
                          <em id="dr5zl"></em>

                          <big id="dr5zl"></big>

                          1. <form id="dr5zl"><legend id="dr5zl"></legend></form>
                            
                                <em id="dr5zl"></em>

                                  1. <wbr id="dr5zl"><p id="dr5zl"></p></wbr>

                                          1. <sub id="dr5zl"></sub>
                                            <em id="dr5zl"><p id="dr5zl"></p></em>

                                              1. <em id="dr5zl"></em>

                                                <em id="dr5zl"><source id="dr5zl"><dl id="dr5zl"></dl></source></em>
                                                1. <sub id="dr5zl"><td id="dr5zl"><div id="dr5zl"></div></td></sub>

                                                  <tr id="dr5zl"><source id="dr5zl"></source></tr>
                                                  <strike id="dr5zl"><pre id="dr5zl"></pre></strike>
                                                  <form id="dr5zl"></form>
                                                  <sub id="dr5zl"><address id="dr5zl"></address></sub>

                                                    <wbr id="dr5zl"></wbr>

                                                      新闻中心

                                                      EEPW首页 > 网络与存储 > 业界动态 > 三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

                                                      三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

                                                      作者:时间:2022-11-07来源:IT之家收藏

                                                      IT之家 11 月 7 日消息,虽然还没有发布任何实际产品,但电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 芯片,该公司将其命名为第 8 代

                                                      本文引用地址:http://www.sylvia-camelo.com/article/202211/440103.htm

                                                      新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度,当搭配高端主控使用时,它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。

                                                      据介绍,第 8 代 可提供 1Tb (128GB) 的方案,电子没有公开 IC 的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密度。

                                                      声称,与现有相同容量的芯片相比,其新一代 3D NAND 可提高 20% 的单晶生产率,从而进一步降低了成本(在良率相同的情况下),这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

                                                      该公司没有透露新品架构,但根据提供的图像,我们可以假设这是一种双平面 3D NAND 芯片。

                                                      三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示:“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 层数,三星采用了先进的 3D 压缩技术,以减少表面积和高度,同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础。”

                                                      今年年中,三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前,该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品。

                                                      此外,第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件,将于 2023 年进入量产阶段。IT之家了解到,三星即将推出的其它 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

                                                      三星对其 V-NAND 声称,到 2030 年,它将打造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标,三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构,以提高密度并启用更多层。

                                                      三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源,研究新的架构和材料,例如 High-K,以帮助将 DRAM 扩展到 10nm 以上。该公司打算进一步开发其它 DRAM 解决方案,例如内存处理 (PIM)。




                                                      关键词: V-NAND 闪存 三星

                                                      评论


                                                      相关推荐

                                                      技术专区

                                                      关闭
                                                      国产成a人片在线观看视频下载-欧美毛片免费观看-A级在线观看免费播放-免费人成黄页在线观看