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                                                      新闻中心

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                                                      功率器件实际结温和壳顶温度的差异研究

                                                      作者:刘 松,王传喜(万国半导体元件(深圳)有限公司,上海 200070)时间:2022-10-28来源:电子产品世界收藏

                                                      摘 要:本文主要研究功率器件的内部实际和外的差异,给出了测量内部实际的方法。研究表明,不同的器件、不同的封装类型,不同的内部封装方法,都会直接影响到温度差异,环境温度越高,温度差值越小;封装材料越厚,温度差值越大。

                                                      本文引用地址:http://www.sylvia-camelo.com/article/202210/439746.htm

                                                      关键词

                                                      开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器通常会使用功率器件,在设计过程中,要测量功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金氧半场效晶体管)或 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)结温,保证其在合理安全的工作范围,因为功率器件结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件结温有两种方法:热电偶和红外热成像测温仪。使用热电偶测量温度,为了提高测量精度,需要进行精确的温度补偿和校准。热电偶本身要用特定粘胶固定在测量器件表面,或用机械方式固定并保证其和器件底部铜片具有良好的接触。固定方式和接触面积都会影响测量的精度。相对于被测量功率器件,热电偶接触面积大,本身相当于散热器作用,影响测量精度。此外,器件底部铜片和结温也有一定差异,也影响内部结温的测量精度。

                                                      红外热成像测温仪不需要和器件接触,测量过程对测量精度影响小。但是,红外热成像测温仪测量的是功率器件塑料外壳顶部温度,这个温度和功率器件内部结温有一定差异,本文就是研究这二者温度差值的范围,从而为实际应用提供温度降额的设计参考。

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                                                      为了更精确得到塑料外壳顶部温度和实际器件结温的差异,使用实验测量方式,进行定量的分析,同时,也研究塑料外壳和芯片尺寸大小对于温度差异的影响。

                                                      1666923600390752.png

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                                                      2 芯片结温校核曲线测量

                                                      功率器件内部通常会有 PN 结二极管,如功率 MOSFET 反并联寄生体二极管,就相当于一个温度传感器,一定的温度对应着一定的二极管压降。每一个硅器件都对应着特定的校准曲线,一旦确定,在静态条件下,可以测量功率器件内部寄生二极管的压降,通过校核的结温曲线,得到相应的内部芯片结温。

                                                      1666923672211479.png

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                                                      选择三种类型的功率 MOSFET:AON6414A,AON6500,AO4407A,封装和内部芯片尺寸如表 1 所示,然后分别测出它们的结温校核曲线。

                                                      1666923750193047.png

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                                                      图4 同封装器件

                                                      3 器件塑料外壳顶部温度和芯片结温测量

                                                      器件塑料外壳顶部温度和芯片结温测量系统的示意图,如图 5 所示,每个器件分别安装在不同焊盘铜皮尺寸的 PCB 板上,如图 6 所示,PCB 为 2 层板,覆铜厚度 2 OZ(约 0.07 mm)。

                                                      1666923877541393.png

                                                      图5 测量系统的示意图

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                                                       (a) 0.3 cm2焊盘铜皮

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                                                      (b) 10 cm2封装焊盘铜皮

                                                      图6 器件安装的PCB

                                                      测量的步骤如下。

                                                      (1)将器件 AON6414A 安装在 PCB 板上,设定功率回路的电流值,如 1 A,连通功率回路和测量回路,器件寄生体二极管中通过 1.01 A 电流,寄生体二级管的功耗加热器件,使用红外热成像测温仪测量器件塑料外壳顶部温度;当其温度稳定后,记录相应功耗和对应的器件塑料外壳顶部温度。

                                                      (2)断开步骤 1 中功率回路,仅保持 10 mA 测量回路的连通,10 mA 电流继续流过器件寄生体二极管,测量寄生体二极管的电压,在器件的结温校核曲线中,由二极管的电压得到相应的芯片结温。通常,此过程的测量时间非常短,同时由于器件热容的影响,内部芯片结温基本不会降低。

                                                      (3)改变功率回路的电流值,重复步骤 1 和步骤 2,完成器件 AON6414A 的测量。

                                                      按照上面的方法,分别测出 AON6500 和 AO4407A 的结果。测量的结果分别见表 2、表 3、表 4 和表 5。

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                                                      图7 温度差异和塑料外壳顶部温度关系

                                                      增加环境的温度,AO4407A 测量的结果见表 6。

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                                                      在实际工作的条件下,不太可能实时测量功率器件内部寄生二极管的压降来确定内部芯片的结温。可以将使用上述静态方式测量的结温,结合红外热成像测温仪测量的塑料外壳顶部温度,校核它们之间的差值。在实际应用中,测量到塑料外壳顶部温度,基于这个差值,就可以得到芯片内部结温。

                                                      4 结语

                                                      芯片塑料壳顶部和结温的差异受封装的影响大,不同封闭类型、不同外壳材料等因素都会影响到这个差值;顶部塑料壳越厚,温差越大;贴片类型的封装,芯片塑料壳顶部和结温的温差,经验值通常取 5~10 ℃ 左右;同样环境温度条件下,热阻 RJA(结到环境)随着结温的增加而增大,热阻 RJT(结到顶部)随着结温的增加而减小;芯片塑料壳顶部和结温的差异,随着环境温度的增加而减小。

                                                      模型 2 可以为一些科学软件提供升级解决方案。在一些绘制图形的工程软件中,经常使用闭合线收缩。该模型可以为此提供更准确的闭合线收缩方案,保证工程图纸的准确性。

                                                      参考文献

                                                      [1]?黄桢翔,王祥.建造导向的复杂空间结构拓扑几何优化研究[J].建筑学报,2022(04):28-35.

                                                      [2]?吴瑞溢,李蕙萱.激光打标路径孵化算法研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2021,37(05):62-67.

                                                      [3]?许晨昱,陈永明.应用于新型激光打标机的视觉标定算法[J].机电技术,2021(04):28-31.

                                                      [4]?彭川来.基于两步法纹理映射的曲面零件激光打标技术研究[J].山西大同大学学报(自然科学版),2021,37(04):14-16.

                                                      (注:本文转载自《电子产品世界》杂志2022年10月期)



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